N-Kanal Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET - SCT3022AL
SCT3022AL ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench MOSFET. Seine Merkmale umfassen Hochspannungsfestigkeit, niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
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Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
22.0
Drain Current[A]
93.0
Total Power Dissipation[W]
339
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Eigenschaften:
・ Low on-resistance・ Fast switching speed
・ Fast reverse recovery
・ Easy to parallel
・ Simple to drive
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant