SCT3022AL
N-Kanal Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET
SCT3022AL
N-Kanal Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET
SCT3022AL ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench MOSFET. Seine Merkmale umfassen Hochspannungsfestigkeit, niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
22
Generation
3rd Gen (Trench)
Drain Current[A]
93
Total Power Dissipation[W]
339
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Eigenschaften:
・ Low on-resistance・ Fast switching speed
・ Fast reverse recovery
・ Easy to parallel
・ Simple to drive
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
