SCT3030ALHR
N-Kanal Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET
SCT3030ALHR
N-Kanal Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET
SCT3017ALHR ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench MOSFET. Seine Merkmale umfassen Hochspannungsfestigkeit, niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
30
Generation
3rd Gen (Trench)
Drain Current[A]
70
Total Power Dissipation[W]
262
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
- Qualified to AEC-Q101
