N-Kanal Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET - SCT3030ALHR
SCT3017ALHR ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench MOSFET. Seine Merkmale umfassen Hochspannungsfestigkeit, niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
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Spezifikationen:
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Drain-source Voltage[V]
650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
30.0
Drain Current[A]
70.0
Total Power Dissipation[W]
262
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
- Qualified to AEC-Q101