N-Kanal Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET - SCT3060ALHR

SCT3017ALHR ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench MOSFET. Seine Merkmale umfassen Hochspannungsfestigkeit, niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

Teilenummer | SCT3060ALHRC11
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-247N
Einheitenmenge | 450
Minimale Gehäusemenge | 30
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Common Standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

Drain-source Voltage[V]

650

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

60.0

Drain Current[A]

39.0

Total Power Dissipation[W]

165

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
  • Qualified to AEC-Q101