SCT3080AW7
650 V 29 A, 7-pin SMD, Siliziumkarbid- (SiC-) MOSFET mit Trench-Struktur
SCT3080AW7
650 V 29 A, 7-pin SMD, Siliziumkarbid- (SiC-) MOSFET mit Trench-Struktur
Der SCT3080AW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören hohe Spannungsfestigkeit, niedriger Durchlasswiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
80
Generation
3rd Gen (Trench)
Drain Current[A]
29
Total Power Dissipation[W]
125
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
Produktvideo & Katalog
