SCT3080KW7
1200 V 30 A, 7-pin SMD, Siliziumkarbid- (SiC-) MOSFET mit Trench-Struktur

Der SCT3080KW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören hohe Spannungsfestigkeit, niedriger Durchlasswiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit.

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Produktdetails

 
Teilenummer | SCT3080KW7TL
Status | Aktiv
Gehäuse | TO-263-7L
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

80.0

Generation

3rd Gen (Trench)

Drain Current[A]

30.0

Total Power Dissipation[W]

159

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

10.2x15.4 (t=4.7)

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Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant