SCT3105KL
N-Kanal Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET
SCT3105KL
N-Kanal Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET
SCT3017ALHR ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench MOSFET. Seine Merkmale umfassen Hochspannungsfestigkeit, niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
105
Generation
3rd Gen (Trench)
Drain Current[A]
24
Total Power Dissipation[W]
134
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Eigenschaften:
・ Low on-resistance・ Fast switching speed
・ Fast reverse recovery
・ Easy to parallel
・ Simple to drive
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
