N-Kanal Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET - SCT3160KL

SCT3160KL ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench MOSFET. Seine Merkmale umfassen Hochspannungsfestigkeit, niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | SCT3160KLGC11
Status | Active
Gehäuse | TO-247N
Einheitenmenge | 450
Minimale Gehäusemenge | 30
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

160.0

Drain Current[A]

17.0

Total Power Dissipation[W]

103

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Eigenschaften:

・ Low on-resistance
・ Fast switching speed
・ Fast reverse recovery
・ Easy to parallel
・ Simple to drive
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant