SCT4013DEHR (Neues Produkt)
750 V, 105 A, 3-Pin THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive
SCT4013DEHR (Neues Produkt)
750 V, 105 A, 3-Pin THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive
AEC-Q101-qualifiziertes Produkt in Automobilqualität. SCT4013DEHR ist ein SiC-(Siliziumkarbid)-Trench-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören hohe Spannungsfestigkeit, niedriger EIN-Widerstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile des ROHM SiC MOSFET der 4. Generation
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und eine Reduzierung der Schaltverluste um etwa 50 % auf. Die Gate-Source-Spannung von 15 V vereinfacht das Anwendungsdesign.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
13
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
105
Total Power Dissipation[W]
312
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Qualifiziert nach AEC-Q101
- Geringer Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Rückwärtserholung
- Einfach zu parallelisieren
- Einfach anzusteuern
- Pb-freie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
