SCT4013DRHR (Neues Produkt)
750V, 105A, 4-polig THD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive
SCT4013DRHR (Neues Produkt)
750V, 105A, 4-polig THD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive
AEC-Q101 qualifiziertes Automotive Produkt. Der SCT4013DRHR ist ein SiC (Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile von ROHMs SiC-MOSFET der 4. Generation
Diese Serie hat eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und eine Reduzierung der Schaltverluste um etwa 50 % im Vergleich zu herkömmlichen Produkten. Die Gate-Source-Spannung von 15 V erleichtert das Anwendungsdesign.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
13
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
105
Total Power Dissipation[W]
312
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- AEC-Q101 qualifiziert
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Rückwärtserholung
- Einfach zu parallelisieren
- Einfach anzusteuern
- Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform
