SCT4013DTW (Neues Produkt)
750V, 102A, 9-Pin-SMD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer Top-Side-Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche auf der Oberseite des Gehäuses befindet, erreicht das TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Durchsteckgehäusen vergleichbar ist, während es gleichzeitig ein oberflächenmontierbares Design beibehält. Darüber hinaus gewährleistet die proprietäre Grabenstruktur von ROHM einen Kriechstrecke von 6,66 mm, was die Unterstützung einer AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen mit Verschmutzungsgrad 2 ermöglicht. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Des Weiteren erreicht das Produkt einen niedrigen ON-Widerstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Stromverbrauch in Leistungswandlerschaltungen beiträgt. Es ist ideal für Onboard-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs sowie für PV-Wechselrichter und Servernetzteile.