SCT4013DTWHR (Neues Produkt)
750 V, 102 A, 9-poliger SMD, SiC-MOSFET mit Trench-Struktur für Automotive

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer oberen Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche auf der Oberseite des Gehäuses befindet, erreicht das TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Through-Hole-Gehäusen vergleichbar ist, während es ein Oberflächenmontagedesign beibehält. Darüber hinaus gewährleistet die proprietäre Grabenstruktur von ROHM eine Kriechstrecke von 6,66 mm, die die Unterstützung einer AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen der Verschmutzungsgrad 2 ermöglicht. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Des Weiteren erreicht das Produkt einen geringen ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Stromverbrauch in Leistungsumwandlungsschaltungen beiträgt. Es ist ideal für Onboard-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs sowie für PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.