SCT4018KTW (Neues Produkt)
1200 V, 79 A, 9-poliger SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer oberen Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche oben auf dem Gehäuse befindet, erreicht TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Through-Hole-Gehäusen vergleichbar ist, während ein oberflächenmontierbares Design beibehalten wird. Darüber hinaus sichert ROHMs proprietäre Grabenstruktur eine Kriechstrecke von 6,66 mm, die die Unterstützung einer AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen mit Verschmutzungsgrad 2 ermöglicht. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und höherer Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Des Weiteren erreicht das Produkt einen niedrigen EIN-Widerstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Stromverbrauch in Leistungsumwandlungsschaltungen beiträgt. Es ist ideal für Onboard-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs sowie PV-Wechselrichter und Servernetzteile.