SCT4018KTWHR (Neues Produkt)
1200 V, 79 A, 9-poliger SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer oberen Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche oben auf dem Gehäuse befindet, erreicht TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Durchsteckgehäusen vergleichbar ist, während das Gehäuse eine oberflächenmontierbare Bauform beibehält. Darüber hinaus gewährleistet die proprietäre Rillenstruktur von ROHM einen Kriechweg von 6,66 mm, der den Support für eine AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen der Verschmutzungskategorie 2 ermöglicht. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Des Weiteren erreicht das Produkt einen niedrigen ON-Widerstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Stromverbrauch in Leistungsumwandlungsschaltungen beiträgt. Es ist ideal für Bordlader und elektrische Kompressoren in xEVs sowie für PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.