SCT4020DTWHR (Neues Produkt)
750V, 69A, 9-poliger SMD, Trench-Struktur, SiC-MOSFET für Automotive Anwendungen

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer oberen Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche oben auf dem Gehäuse befindet, erreicht TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Through-Hole-Gehäusen vergleichbar ist, während ein oberflächenmontiertes Design beibehalten wird. Darüber hinaus sichert ROHMs proprietäre Grabenstruktur einen Kriechstromabstand von 6,66 mm und ermöglicht die Unterstützung einer AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen der Verschmutzungsklasse 2. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Des Weiteren erreicht das Produkt einen niedrigen ON-Widerstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Stromverbrauch in Leistungsumwandlungsschaltungen beiträgt. Es ist ideal für On-Board-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs sowie für PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.