SCT4026DRHR
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET mit 750V, 56A, 4-Pin THD und Trench-Struktur für die Automobilindustrie
SCT4026DRHR
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET mit 750V, 56A, 4-Pin THD und Trench-Struktur für die Automobilindustrie
AEC-Q101-qualifiziertes Produkt für die Automobilindustrie. SCT4026DRHR ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile des SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten einen um etwa 40 % geringeren Einschaltwiderstand und einen um etwa 50 % geringeren Schaltverlust auf. Die 15V-Gate-Source-Spannung erleichtert das Anwendungsdesign.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
26
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
56
Total Power Dissipation[W]
176
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Qualified to AEC-Q101
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
