SCT4026DTW (Neues Produkt)
750V, 54A, 9-polig SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer oberen Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche auf der Oberseite des Gehäuses befindet, erreicht das TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Through-Hole-Gehäusen vergleichbar ist, während ein oberflächenmontierbares Design beibehalten wird. Darüber hinaus sichert ROHMs proprietäre Grabenstruktur einen Kriechstromabstand von 6,66 mm, was die Unterstützung einer AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen der Verschmutzungsklasse 2 ermöglicht. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Darüber hinaus erreicht das Produkt einen niedrigen EIN-Widerstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Stromverbrauch in Leistungswandlerschaltungen beiträgt. Es ist ideal für Bordladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs sowie für PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.