SCT4026DTWHR (Neues Produkt)
750V, 54A, 9-Pin-SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer oberen Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitfläche oben auf dem Gehäuse befindet, erreicht TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Durchsteckgehäusen vergleichbar ist, während das Design zur Oberflächenmontage beibehalten wird. Darüber hinaus gewährleistet die proprietäre Nutenstruktur von ROHM einen Kriechweg von 6,66 mm, wodurch eine Unterstützung für eine AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen der Verschmutzungsklasse 2 ermöglicht wird. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Darüber hinaus erreicht das Produkt einen niedrigen Einschaltwiderstand und Hochgeschwindigkeits-Schalten, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Stromverbrauch in Leistungswandlerschaltungen beiträgt. Es ist ideal für On-Board-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs sowie für PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.