SCT4027KTWHR (Neues Produkt)
1200V, 54A, 9-Pin SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für die Automobilindustrie

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer Oberseiten-Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche auf der Oberseite des Gehäuses befindet, erreicht das TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Through-Hole-Gehäusen vergleichbar ist, während es ein Oberflächenmontagedesign beibehält. Darüber hinaus gewährleistet die proprietäre Nutstruktur von ROHM einen Kriechweg von 6,66 mm, was eine Unterstützung für eine AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen der Verschmutzungsklasse 2 ermöglicht. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Des Weiteren erreicht das Produkt einen niedrigen EIN-Widerstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Stromverbrauch in Leistungsumwandlungsschaltungen beiträgt. Es ist ideal für On-Board-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs sowie für PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.