SCT4036DE (Neues Produkt)
750V, 42A, 3-poliger THD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
SCT4036DE (Neues Produkt)
750V, 42A, 3-poliger THD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
Der SCT4036DE ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein geringer Einschaltwiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile von ROHM's SiC-MOSFET der 4. Generation
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und der Schaltverluste um etwa 50 % auf. Die 15V Gate-Source-Spannung erleichtert das Anwendungsdesign.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
42
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrverzögerung
- Einfach parallel zu schalten
- Einfach anzusteuern
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
