SCT4036DR (Neues Produkt)
750V, 42A, 4-Pin-THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
SCT4036DR (Neues Produkt)
750V, 42A, 4-Pin-THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
Der SCT4036DR ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile von ROHMs 4. Generation SiC MOSFET
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und der Schaltverluste um etwa 50 % auf. Die Gate-Source-Spannung von 15 V vereinfacht das Anwendungsdesign.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
42
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
Eigenschaften:
- Niedriger ON-Widerstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Rückwärtserholung
- Einfach zu parallelisieren
- Einfach anzusteuern
- Bleifreie Anschlussbeschichtung ; RoHS-konform
