SCT4036DTW (Neues Produkt)
750V, 40A, 9-Pin-SMD, Grabenstruktur, Siliciumcarbid(SiC)-MOSFET

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer oberen Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche oben auf dem Gehäuse befindet, erreicht TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Through-Hole-Gehäusen vergleichbar ist, während ein oberflächenmontiertes Design beibehalten wird. Darüber hinaus sichert die proprietäre Grabenstruktur von ROHM einen Kriechweg von 6,66 mm, was die Unterstützung einer AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen mit Verschmutzungsgrad 2 ermöglicht. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Darüber hinaus erreicht das Produkt einen geringen ON-Widerstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Stromverbrauch in Stromwandlerschaltungen beiträgt. Es ist ideal für On-Board-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs sowie PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.