SCT4036DTWHR (Neues Produkt)
750 V, 40 A, 9-Pin-SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive-Anwendungen

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer Wärmeableitungsstruktur an der Oberseite, bei der die Wärmeableitungsfläche oben am Gehäuse liegt, erreicht das TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Durchsteckgehäusen vergleichbar ist, während es gleichzeitig eine Oberflächenmontage beibehält. Darüber hinaus gewährleistet die proprietäre Nutenstruktur von ROHM einen Kriechweg von 6,66 mm und ermöglicht die Unterstützung einer AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen mit Verschmutzungsgrad 2. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Des Weiteren erreicht das Produkt einen niedrigen ON-Widerstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Stromverbrauch in Leistungsumwandlungsschaltungen beiträgt. Es ist ideal für Onboard-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs sowie für PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.