SCT4036DWA (Neues Produkt)
750V, 38A, 7-poliger SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
SCT4036DWA (Neues Produkt)
750V, 38A, 7-poliger SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
Der SCT4036DWA ist ein SiC-(Siliziumkarbid)-Trench-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile des SiC-MOSFET der 4. Generation von ROHM
Diese Serie weist eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und eine Reduzierung der Schaltverluste um etwa 50 % im Vergleich zu herkömmlichen Produkten auf. Die Gate-Source-Spannung von 15 V erleichtert das Anwendungsdesign.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
38
Total Power Dissipation[W]
115
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrerholzeit
- Einfache Parallelschaltung
- Einfache Ansteuerung
- Bleifreie Anschlussbeschichtung ; RoHS-konform
- Großer Kriechstromabstand = min. 4,7mm
