SCT4036DWAHR (Neues Produkt)
750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für die Automobilindustrie
SCT4036DWAHR (Neues Produkt)
750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für die Automobilindustrie
AEC-Q101 qualifiziertes Produkt für die Automobilindustrie. Der SCT4036DWAHR ist ein SiC-Graben-MOSFET (Siliziumkarbid). Er verfügt über hohe Spannungsfestigkeit, geringen ON-Widerstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile von ROHMs SiC-MOSFET der 4. Generation
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und eine Reduzierung der Schaltverluste um etwa 50 % auf. Die Gate-Source-Spannung von 15 V erleichtert das Anwendungsdesign.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
38
Total Power Dissipation[W]
115
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Qualifiziert nach AEC-Q101
- Geringer Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrerholzeit
- Einfache Parallelschaltung
- Einfache Ansteuerung
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
- Großer Kriechstrecke = min. 4,7 mm
