SCT4036KTWHR (Neues Produkt)
1200V, 41A, 9-Pin-SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für die Automobilindustrie

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer Top-Side-Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche oben auf dem Gehäuse befindet, erreicht TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Durchsteckgehäusen vergleichbar ist, während ein oberflächenmontiertes Design beibehalten wird. Darüber hinaus sichert ROHMs proprietäre Grabenstruktur einen Kriechweg von 6,66 mm, was die Unterstützung einer AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen der Verschmutzungsstufe 2 ermöglicht. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Des Weiteren erreicht das Produkt einen geringen Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Stromverbrauch in Leistungsumwandlungsschaltungen beiträgt. Es ist ideal für Onboard-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs sowie für PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.