SCT4045DTW (Neues Produkt)
750V, 33A, 9-Pin-SMD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer Top-Side-Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche auf der Oberseite des Gehäuses befindet, erreicht das TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Through-Hole-Gehäusen vergleichbar ist, während das Surface-Mount-Design beibehalten wird. Darüber hinaus sichert die proprietäre Grabenstruktur von ROHM einen Kriechabstand von 6,66 mm und ermöglicht die Unterstützung einer AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen mit Verschmutzungsgrad 2. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Des Weiteren erreicht das Produkt einen niedrigen ON-Widerstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit, was zu größerer Effizienz und geringerem Stromverbrauch in Leistungsumwandlungsschaltungen beiträgt. Es ist ideal für On-Board-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs sowie für PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.