SCT4045DTWHR (Neues Produkt)
750V, 33A, 9-Pin-SMD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer oberen Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche an der Oberseite des Gehäuses befindet, erreicht das TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Durchsteckgehäusen vergleichbar ist, während das Gehäuse ein oberflächenmontierbares Design beibehält. Darüber hinaus gewährleistet ROHMs proprietäre Grabenstruktur eine Kriechstrecke von 6,66 mm, die eine Unterstützung für eine AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen mit Verschmutzungsgrad 2 ermöglicht. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Des Weiteren erreicht das Produkt einen niedrigen ON-Widerstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Stromverbrauch in Leistungsumwandlungsschaltungen beiträgt. Es ist ideal für Bordlader und elektrische Kompressoren in xEVs sowie für PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.