SCT4050KE (Neues Produkt)
1200V, 32A, 3-polig THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
SCT4050KE (Neues Produkt)
1200V, 32A, 3-polig THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
Der SCT4050KE ist ein SiC-(Siliziumkarbid-)Graben-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein geringer Einschaltwiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile des SiC-MOSFET der 4. Generation von ROHM
Diese Serie weist eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und eine Reduzierung der Schaltverluste um etwa 50 % im Vergleich zu herkömmlichen Produkten auf. Die Gate-Source-Spannung von 15 V erleichtert das Anwendungsdesign.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
50
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
32
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrverzögerung
- Einfach parallel zu schalten
- Einfach anzusteuern
- Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform
