SCT4050KEHR (Neues Produkt)
1200V, 32A, 3-polig THD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für die Automobilindustrie
SCT4050KEHR (Neues Produkt)
1200V, 32A, 3-polig THD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für die Automobilindustrie
AEC-Q101 qualifiziertes Produkt für die Automobilindustrie. Der SCT4050KEHR ist ein SiC (Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören hohe Spannungsfestigkeit, niedriger ON-Widerstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile von ROHMs SiC-MOSFET der 4. Generation
Diese Serie weist eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und eine Reduzierung der Schaltverluste um etwa 50 % im Vergleich zu herkömmlichen Produkten auf. Die Gate-Source-Spannung von 15 V erleichtert das Anwendungsdesign.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
50
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
32
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrverzögerungszeit
- Einfach zu parallelisieren
- Einfach anzusteuern
- Bleifreie Anschlussbeschichtung ; RoHS-konform
