SCT4050KR (Neues Produkt)
1200V, 32A, 4-Pin THD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
SCT4050KR (Neues Produkt)
1200V, 32A, 4-Pin THD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
Der SCT4050KR ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören hohe Spannungsfestigkeit, geringer EIN-Widerstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile der 4. Generation der SiC-MOSFETs von ROHM
Diese Serie weist eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um ca. 40 % und eine Reduzierung der Schaltverluste um ca. 50 % im Vergleich zu herkömmlichen Produkten auf. Die Gate-Source-Spannung von 15 V vereinfacht das Anwendungsdesign.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
50
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
32
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrerholzeit
- Einfache Parallelschaltung
- Einfache Ansteuerung
- Bleifreie Anschlussbeschichtung ; RoHS-konform
