SCT4050KTW (Neues Produkt)
1200V, 31A, 9-Pin SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer oberen Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche oben auf dem Gehäuse befindet, erreicht das TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Durchsteckgehäusen vergleichbar ist, während es ein oberflächenmontierbares Design beibehält. Darüber hinaus gewährleistet die proprietäre Nutstruktur von ROHM einen Kriechstromweg von 6,66 mm, was eine Unterstützung für eine AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen mit Verschmutzungsgrad 2 ermöglicht. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Des Weiteren erreicht das Produkt einen niedrigen EIN-Widerstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Stromverbrauch in Leistungsumwandlungsschaltungen beiträgt. Es ist ideal für Onboard-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs sowie PV-Wechselrichter und Server-Stromversorgungen.