SCT4050KTWHR (Neues Produkt)
1200V, 31A, 9-pin SMD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für die Automobilindustrie

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer oberen Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche an der Oberseite des Gehäuses befindet, erreicht das TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Durchsteckgehäusen vergleichbar ist, während das Aufputzdesign beibehalten wird. Darüber hinaus sichert die proprietäre Grabenstruktur von ROHM einen Kriechstrecke von 6,66 mm, was eine Unterstützung für eine AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen der Verschmutzungsstufe 2 ermöglicht. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Des Weiteren erreicht das Produkt einen geringen EIN-Widerstand und schnelles Schalten, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Stromverbrauch in Stromwandlerschaltungen beiträgt. Es ist ideal für On-Board-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs sowie für PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.