SCT4050KWA (Neues Produkt)
1200V, 29A, 7-pin SMD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
SCT4050KWA (Neues Produkt)
1200V, 29A, 7-pin SMD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
Der SCT4050KWA ist ein SiC-(Siliziumkarbid)-Trench-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile des 4. Generation SiC MOSFET von ROHM
Diese Serie zeichnet sich durch eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um ca. 40 % und eine Reduzierung der Schaltverluste um ca. 50 % im Vergleich zu herkömmlichen Produkten aus. Die Gate-Source-Spannung von 15 V vereinfacht das Anwendungsdesign.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
50
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
29
Total Power Dissipation[W]
115
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
Eigenschaften:
- Geringer ON-Widerstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Reverse Recovery
- Einfach parallel zu schalten
- Einfache Ansteuerung
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
- Großer Kriechweg = min. 4,7 mm
