SCT4062KTW (Neues Produkt)
1200 V, 25 A, 9-polige SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer oberen Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche oben auf dem Gehäuse befindet, erreicht TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Through-Hole-Gehäusen vergleichbar ist, während das Surface-Mount-Design beibehalten wird. Darüber hinaus gewährleistet die proprietäre ROHM-Nutstruktur einen Kriechstromabstand von 6,66 mm, wodurch eine AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen mit Verschmutzungsgrad 2 unterstützt wird. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Des Weiteren erreicht das Produkt einen niedrigen ON-Widerstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Stromverbrauch in Leistungsumwandlungsschaltungen beiträgt. Es ist ideal für Onboard-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs sowie für PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.