SCT4065DEHR (Neues Produkt)
750V, 25A, 3-Pin THD, SiC-MOSFET mit Trench-Struktur für die Automobilindustrie
SCT4065DEHR (Neues Produkt)
750V, 25A, 3-Pin THD, SiC-MOSFET mit Trench-Struktur für die Automobilindustrie
AEC-Q101 qualifiziertes Produkt für die Automobilindustrie. Der SCT4065DEHR ist ein SiC-(Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile der 4. Generation von ROHM SiC-MOSFETs
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und eine Reduzierung der Schaltverluste um etwa 50 % auf. Die Gate-Source-Spannung von 15 V vereinfacht das Anwendungsdesign.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
25
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Qualifiziert nach AEC-Q101
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrerholzeit
- Einfache Parallelschaltung
- Einfach anzusteuern
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
