SCT4065DR (Neues Produkt)
750 V, 25 A, 4-poliges THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
SCT4065DR (Neues Produkt)
750 V, 25 A, 4-poliges THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
Der SCT4065DR ist ein SiC (Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile von ROHMs SiC-MOSFET der 4. Generation
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und eine Reduzierung der Schaltverluste um etwa 50 % auf. Die Gate-Source-Spannung von 15 V erleichtert das Anwendungsdesign.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
25
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrerholzeit
- Leicht zu parallelisieren
- Einfache Ansteuerung
- Pb-freie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
