SCT4065DRHR (Neues Produkt)
750V, 25A, 4-Pin THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive
SCT4065DRHR (Neues Produkt)
750V, 25A, 4-Pin THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive
AEC-Q101 qualifiziertes Produkt für den Automotive-Bereich. Der SCT4065DRHR ist ein SiC (Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile der 4. Generation der SiC-MOSFETs von ROHM
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und eine Reduzierung der Schaltverluste um etwa 50 % auf. Die Gate-Source-Spannung von 15 V vereinfacht das Anwendungsdesign.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
25
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- AEC-Q101 qualifiziert
- Niedriger ON-Widerstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Rückwärtserholung
- Einfach zu parallelisieren
- Einfach anzusteuern
- Bleifreie Anschlussbeschichtung ; RoHS-konform
