SCT4065DTW (Neues Produkt)
750V, 24A, 9-Pin SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer Top-Side-Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitfläche auf der Oberseite des Gehäuses befindet, erreicht das TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Durchsteckgehäusen vergleichbar ist, während das Gehäuse als oberflächenmontierbares Bauteil erhalten bleibt. Darüber hinaus gewährleistet die von ROHM entwickelte Rillenstruktur einen Kriechweg von 6,66 mm, was eine Unterstützung einer AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen des Verschmutzungsgrades 2 ermöglicht. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Darüber hinaus erreicht das Produkt einen niedrigen ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, was zu mehr Effizienz und geringerem Stromverbrauch in Leistungsumwandlungsschaltungen beiträgt. Es ist ideal für On-Board-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs sowie für PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.