SCT4065DWA (Neues Produkt)
750V, 22A, 7-pin SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
SCT4065DWA (Neues Produkt)
750V, 22A, 7-pin SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
Der SCT4065DWA ist ein SiC-(Siliziumkarbid)-Trench-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile des SiC-MOSFET der 4. Generation von ROHM
Diese Serie zeichnet sich durch eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und eine Verringerung der Schaltverluste um etwa 50 % im Vergleich zu herkömmlichen Produkten aus. Die Gate-Source-Spannung von 15 V erleichtert das Anwendungsdesign.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
22
Total Power Dissipation[W]
71
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Rückwärtserholung
- Einfach zu parallelisieren
- Einfach anzusteuern
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
- Großer Kriechabstand = min. 4,7 mm
