SCT4090KE (Neues Produkt)
1200V, 19A, 3-poliger THD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
SCT4090KE (Neues Produkt)
1200V, 19A, 3-poliger THD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
Der SCT4090KE ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein geringer Einschaltwiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile der 4. Generation von ROHM SiC MOSFET
Diese Serie weist eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und eine Reduzierung der Schaltverluste um etwa 50 % im Vergleich zu herkömmlichen Produkten auf. Die Gate-Source-Spannung von 15 V vereinfacht das Anwendungsdesign.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
90
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
19
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrerholzeit
- Einfach zu parallelisieren
- Einfach anzusteuern
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
