SCT4090KTW (Neues Produkt)
1200 V, 18 A, 9-polige SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer oberen Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche oben auf dem Gehäuse befindet, erreicht das TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Through-Hole-Gehäusen vergleichbar ist, während es ein Surface-Mount-Design beibehält. Darüber hinaus gewährleistet die proprietäre Grabenstruktur von ROHM einen Kriechweg von 6,66 mm, was die Unterstützung einer AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen der Verschmutzungsstufe 2 ermöglicht. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Des Weiteren erreicht das Produkt einen geringen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Stromverbrauch in Leistungswandlerschaltungen beiträgt. Es ist ideal für Bordladegeräte und Elektrokmpressoren in xEVs sowie für PV-Wechselrichter und Servernetzteile.