SCT4090KTWHR (Neues Produkt)
1200V, 18A, 9-Pin SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive

Dieses Produkt ist ein SiC-MOSFET im TSC3PAK-Gehäuse. Mit einer oberen Wärmeableitungsstruktur, bei der sich die Wärmeableitungsfläche oben auf dem Gehäuse befindet, erreicht das TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit herkömmlichen Through-Hole-Gehäusen vergleichbar ist, während das Surface-Mount-Design beibehalten wird. Darüber hinaus sichert ROHMs proprietäre Rillenstruktur einen Kriechweg von 6,66 mm und ermöglicht die Unterstützung einer AC-Spitzenspannung von 1200 V in Umgebungen mit Verschmutzungsgrad 2. Dies trägt zu einem sicheren Isolationsdesign und einer höheren Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei. Des Weiteren erreicht das Produkt einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, was zu einer höheren Effizienz und einem geringeren Stromverbrauch in Leistungswandlerschaltungen beiträgt. Es ist ideal für Onboard-Ladegeräte und elektrische Kompressoren in xEVs sowie für PV-Wechselrichter und Server-Netzteile.