SCT4090KWA (Neues Produkt)
1200V, 17A, 7-poliges SMD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid-MOSFET (SiC)
SCT4090KWA (Neues Produkt)
1200V, 17A, 7-poliges SMD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid-MOSFET (SiC)
SCT4090KWA ist ein SiC-Trench-MOSFET (Siliziumkarbid). Die Merkmale umfassen eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen ON-Widerstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile der 4. Generation von ROHM SiC-MOSFETs
Diese Serie weist eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und eine Reduzierung der Schaltverluste um etwa 50 % im Vergleich zu herkömmlichen Produkten auf. Die 15-V-Gate-Source-Spannung vereinfacht das Anwendungsdesign.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
90
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
17
Total Power Dissipation[W]
71
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrerholzeit
- Einfach parallel zu schalten
- Einfach anzusteuern
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
- Großer Kriechstromabstand = min. 4,7 mm
