SiC-MOSFET

SiC-MOSFET

SiC-MOSFETs eliminieren den Tail-Strom während des Schaltens, was zu einem schnelleren Betrieb, geringeren Schaltverlusten und erhöhter Stabilität führt. Der geringere Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße führen zu einer verringerten Kapazität und Gate-Ladung. Darüberhinaus weist SiC hervoragende Materialeigenschaften auf, wie die minimale Zunahmen des Durchlasswiderstands, und ermöglicht eine größere Gehäuseminiaturisierung und Energieeinsparungen als Silizium- (Si-) Bauelemente, bei denen sich der Durchlasswiderstand mit steigender Temperatur mehr als verdoppeln kann.

Die SiC-MOSFETs der Generation 4

Unsere neuesten SiC-MOSFETs der Generation 4 bieten einen branchenführend niedrigen ON-Widerstand ohne Beeinträchtigungen bei der Kurzschlussfestigkeit. Zu den weiteren Merkmalen gehören niedrige Schaltverluste und die Unterstützung von 15 V Gate-Source-Spannung, die zu weiteren Energieeinsparungen beitragen.

Produktspektrum (SiC MOSFETs in diskreten Gehäusen)

Das TO-263-7L-Gehäuse (7-Pin SMD) und TO-247-4L-Gehäuse (4-Pin THD) sind mit einem Treiber-Source-Pin ausgestattet, der die SiC-Schaltleistung maximiert. Gleichzeitig unterstützt das TO-263-7L als oberflächenmontierbarer Gehäusetyp eine automatisierte Montage für eine verbesserte Produktivität.

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      Unterstützende Informationen

       

      ROHM Generation 4 SiC MOSFETs

      Unsere neuesten SiC-MOSFETs der Generation 4 bieten einen branchenführend niedrigen ON-Widerstand ohne Beeinträchtigungen bei der Kurzschlussfestigkeit. Zu den weiteren Merkmalen gehören niedrige Schaltverluste und die Unterstützung von 15 V Gate-Source-Spannung, die zu weiteren Energieeinsparungen beitragen.

      Merkmal

      1.Industrieweit führender niedriger ON-Widerstand ohne Beeinträchtigung der Kurzschlussfestigkeit

      Dennoch ist es ROHM mit den SiC-MOSFETs der Generation 4 gelungen, den ON-Widerstand im Vergleich zu herkömmlichen Produkten um 40 % zu senken, ohne dabei die Kurzschlussfestigkeit zu beeinträchtigen, und zwar durch Verbesserungen der Bauelementestruktur auf der Grundlage des ursprünglichen Double-Trench-Designs. Das Ergebnis: ein robustes Schalt-Leistungsbauelement mit dem branchenweit niedrigsten ON-Widerstand. (ROHM Februar 2022)

      2.Reduzierte Schaltverluste durch deutliche Reduzierung der Parasitärkapazität

      Die MOSFETs der Generation 4 von ROHM erreichen im Vergleich zu herkömmlichen Produkten einen um 50 % geringeren Schaltverlust, indem sie die Gate-Drain-Kapazität (Cgd) erheblich reduzieren.

      3.Unterstütztung der 15 V Gate-Source-Spannung ermöglicht größeres Anwendungsdesign

      Im Gegensatz zur 18-V-Gate-Source-Spannung (Vgs), die bei den SiC-MOSFETs der 3. Generation und früher erforderlich war, unterstützen diese Produkte der Generation 4 einen flexibleren Gate-Spannungsbereich von 15-18 V, der das Design einer Gate-Treiberschaltung ermöglicht, die auch für IGBTs verwendet werden kann.

      Switching loss comparison
      On-resistance comparison

      Anwendungsbeispiel: Antriebsumrichter

      Kann der Stromverbrauch im Vergleich zu IGBT-Lösungen um 6 % gesenkt werden, indem der Wirkungsgrad vor allem im Bereich hoher Drehmomente und niedriger Drehzahlen deutlich verbessert wird, wenn die SiC-MOSFETs der Generation 4 in den Antriebsumrichtern eingesetzt werden (berechnet nach dem WLTC-Kraftstoffverbrauch Test, einem internationalen Standard).

      Anwendungsbeispiel: Antriebsumrichter

       

      weitere Inhalte zur ROHM Generation 4 SiC MOSFETs

      Evaluation board

      Evaluation board
      4th Generation SiC MOSFET Half Bridge Evaluation Board

      Die Evaluierungsboards der Serie P04SCT4018KE-EVK-001/P05SCT4018KR-EVK-001 wurden für SiC-MOSFETs der Generation 4 im TO-247N/TO-247-4L-Gehäuse entwickelt. Onboard-Gate-Treiber und Peripherieschaltungen reduzieren die Anzahl der für Design und Evaluierung erforderlichen Arbeitsstunden.

      Evaluation board
      P05SCT4018KR-EVK-001 Double Pulse Test (ROHM Solution Simulator)

      Für die Verwendung mit dem ROHM Solution Simulator steht eine Simulationsschaltung zur Verfügung, die die Eigenschaften der SiC MOSFET Komponenten und des Evaluation Boards genau reproduziert. Damit können Peripherieschaltungen online entworfen und simuliert werden. (Registrierung bei MyROHM ist erforderlich)

      Documents

      White Paper

      Application Note

      Design model

      Part Number Drain-source Voltage[V] Drain-source On-state Resistance
      (Typ.(mΩ)
      Package SPICE
      Model
      Thermal
      Model
      PLECS
      Model
      PCB
      Library
      SCT4045DE 750 45
      TO-247N
      Available Available -
      SCT4026DE 26 Available Available -
      SCT4013DE
      (under development)
      13 - - - -
      SCT4062KE 1200 62 Available Available -
      SCT4036KE 36 Available Available -
      SCT4018KE
      (under development)
      18 - - - -
      SCT4045DR 750 45
      TO-247-4L
      Available Available -
      SCT4026DR 26 Available Available Available
      SCT4013DR 13 Available Available -
      SCT4062KR 1200 62 Available Available Available
      SCT4036KR 36 Available Available Available
      SCT4018KR 18 Available Available -
      SCT4045DW7
      (under development)
      750 45
      TO-263-7L
      - - - -
      SCT4026DW7
      (under development)
      26 - - - -
      SCT4013DW7
      (under development)
      13 - - - -
      SCT4062KW7
      (under development)
      1200 62 - - - -
      SCT4036KW7
      (under development)
      36 - - - -
      SCT4018KW7
      (under development)
      18 - - - -

      Simulations (Login Required)

       

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      Evaluation Board

      Category SiC Product Image Part No. User Guide Purchase
      Board
      SiC-MOS  Evaluation
      Board
      SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-N NEW
      P04SCT4018KE-EVK-001
      User Guide
      Product Specification
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      SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-4L NEW
      P05SCT4018KR-EVK-001
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      SCT3XXX series Trench(3rd Generation) TO-247-4L P02SCT3040KR-EVK-001  User Guide
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      ROHM Solution Simulator is a new web-based electronic circuit simulation tool that can carry out a variety of simulations, from initial development that involves component selection and individual device verification to the system-level verification stage. This makes it possible to quickly and easily implement complete circuit verification of ROHM power devices and ICs, in simulation circuits under close to actual conditions, significantly reducing application development efforts.

      Application

      Topology

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