SiC-MOSFET
SiC-MOSFETs eliminieren den Tail-Strom während des Schaltens, was zu einem schnelleren Betrieb, geringeren Schaltverlusten und erhöhter Stabilität führt. Der geringere Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße führen zu einer verringerten Kapazität und Gate-Ladung. Darüberhinaus weist SiC hervoragende Materialeigenschaften auf, wie die minimale Zunahmen des Durchlasswiderstands, und ermöglicht eine größere Gehäuseminiaturisierung und Energieeinsparungen als Silizium- (Si-) Bauelemente, bei denen sich der Durchlasswiderstand mit steigender Temperatur mehr als verdoppeln kann.
Die SiC-MOSFETs der Generation 4
Unsere neuesten SiC-MOSFETs der Generation 4 bieten einen branchenführend niedrigen ON-Widerstand mit Verbesserungen bei der Kurzschlussfestigkeit. Zu den weiteren Merkmalen gehören niedrige Schaltverluste und die Unterstützung von 15 V Gate-Source-Spannung, die zu weiteren Energieeinsparungen beitragen.
Roadmap für diskrete Gehäuse für SiC-MOSFET und SiC-SBD
Die diskreten Gehäuse sind im Verkauf und in der Entwicklung.
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Evaluation board
SiC MOSFET Half Bridge Evaluation Board
Die Evaluierungsboards der Serie P04SCT4018KE-EVK-001/P05SCT4018KR-EVK-001 wurden für SiC-MOSFETs im TO-247N/TO-247-4L-Gehäuse entwickelt. Onboard-Gate-Treiber und Peripherieschaltungen reduzieren die Anzahl der für Design und Evaluierung erforderlichen Arbeitsstunden.
Evaluation Board HB2637L-EVK-301
The evaluation board is configured in a half bridge set up and thus allows evaluations in different operations modes such as buck, boost, synchronous buck/boost and inverter operations. The board is equipped with two SiC MOSFETs(SCT4036KW7), isolated gate driver BM61S41RFV-C, isolated power supply required for the gate driver, LDO for 5V supply and easy to interface connectors for PWM signals.
EVK Simulatrion (ROHM Solution Simulator)
・P05CT4018KR-EVK-001 Double Pulse Test
・P04SCT4018KE-EVK-001 Double Pulse Test
・HB2637L-EVK-301 Double Pulse Test
Für die Verwendung mit dem ROHM Solution Simulator steht eine Simulationsschaltung zur Verfügung, die die Eigenschaften der SiC MOSFET Komponenten und des Evaluation Boards genau reproduziert. Damit können Peripherieschaltungen online entworfen und simuliert werden. (Registrierung bei MyROHM ist erforderlich)
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Evaluation Board
| Category | SiC Product | Image | Part No. | User Guide | Purchase Board |
|
| SiC-MOS | Evaluation Board |
SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-N |  |
P04SCT4018KE-EVK-001 | User Guide Product Specification |
Online Distributors |
| SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-4L |  |
P05SCT4018KR-EVK-001 | Online Distributors |
|||
| SCT3XXX series Trench(3rd Generation) TO-247-4L |  |
P02SCT3040KR-EVK-001 | User Guide Product Specification |
Online Distributors |
||
Models ＆ Tools
Simulations (Login Required)
ROHM Solution Simulator is a new web-based electronic circuit simulation tool that can carry out a variety of simulations, from initial development that involves component selection and individual device verification to the system-level verification stage. This makes it possible to quickly and easily implement complete circuit verification of ROHM power devices and ICs, in simulation circuits under close to actual conditions, significantly reducing application development efforts.
Application
Topology
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