SiC-Leistungsmodul - BSM120D12P2C005

Halbbrückenmodule bestehend aus SiC-DMOSFETs und SiC-SBDs von ROHM.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | BSM120D12P2C005
Status | Empfohlen
Gehäuse | C
Einheitenmenge | 12
Minimale Gehäusemenge | 12
Gehäusetyp | Corrugated Cardboard
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

134.0

Total Power Dissipation[W]

935

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

Eigenschaften:

・Full SiC power module with SiC MOSFET and SiC SBD
・High-speed switching and low switching loss
・Ensured reliability of body diode conduction