ROHM Product Detail

BSM180C12P3C202
1200V, 180A, Chopper, Full-SiC-Leistungsmodul mit Trench-MOSFET

Der BSM180C12P3C202 ist ein SiC- (Siliziumkarbid-) Leistungsmodul mit niedrigem Stromstoß und niedrigen Schaltverlusten, geeignet für Motortreiber, Wandler, Photovoltaik, Windenergieerzeugung.

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Produktdetails

 
Teilenummer | BSM180C12P3C202
Status | Empfohlen
Gehäuse | C Type
Gehäusetyp | Corrugated Cardboard
Einheitenmenge | 12
Minimale Gehäusemenge | 12
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

180

Total Power Dissipation[W]

880

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Chopper

Package Size [mm]

122.0x45.6 (t=17.5)

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Eigenschaften:

  • Low surge, low switching loss.
  • High-speed switching possible.
  • Reduced temperature dependance.

Referenzdesign / Anwendungsevaluierungskit

 
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Produktvideo & Katalog

 
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