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SiC-Leistungsmodul - BSM180D12P3C007

BSM180D12P3C007 ist ein Halbbrückenmodul bestehend aus Siliziumkarbid UMOSFET und Silikonkarbid Schottky-Diode.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | BSM180D12P3C007
Status | Active
Gehäuse | C
Einheitenmenge | 12
Minimale Gehäusemenge | 12
Gehäusetyp | Corrugated Cardboard
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

180.0

Total Power Dissipation[W]

880

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

Eigenschaften:

  • Low surge, low switching loss.
  • High-speed switching possible.
  • Reduced temperature dependance.