SiC-Leistungsmodul - BSM300D12P2E001

BSM300D12P2E001 ist ein Halbbrückenmodul bestehend aus Siliziumkarbid DMOSFET und Siliziumkarbid Schottky-Diode.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | BSM300D12P2E001
Status | Empfohlen
Gehäuse | E
Einheitenmenge | 4
Minimale Gehäusemenge | 4
Gehäusetyp | Corrugated Cardboard
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

300.0

Total Power Dissipation[W]

1875

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

Eigenschaften:

  • Low surge, low switching loss.
  • High-speed switching possible.
  • Reduced temperature dependance.