Siliziumkarbid-Leistungsmodul - BSM300D12P3E005
Der BSM300D12P3E005 ist ein Halbbrückenmodul, bestehend aus einem Siliziumkarbid-UMOSFET und einer Siliziumkarbid-Schottkydiode.
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
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Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain Current[A]
300.0
Total Power Dissipation[W]
1260
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
125
Eigenschaften:
- Low surge, low switching loss.
- High-speed switching possible.
- Reduced temperature dependance.